| | | 最初为解释晶体的塑性变形而提出的一种原子排列缺陷模型．晶体滑移时，已滑移部分与未滑移部分在滑移面上的分界，称为＂位错＂．它是一种＂线缺陷＂．基本型式有两种：滑移方向与位错线垂直的称为＂刃型位错＂；滑移方向与位错线平行的称为＂螺型位错＂．位错的存在已经为电子显微镜等观察所证实．实际晶体在生长，变形等过程中都会产生位错．它对晶体的塑性变形，相变，扩散，强度等都有很大影响． | | 最初为解释晶体的塑性变形而提出的一种原子排列缺陷模型．晶体滑移时，已滑移部分与未滑移部分在滑移面上的分界，称为＂位错＂，又可称为差排。它是一种＂线缺陷＂．基本型式有两种：滑移方向与位错线垂直的称为＂刃型位错＂；滑移方向与位错线平行的称为＂螺型位错＂．位错的存在已经为电子显微镜等观察所证实．实际晶体在生长，变形等过程中都会产生位错．它对晶体的塑性变形，相变，扩散，强度等都有很大影响．
刃型位错
设有一简单立方结构的晶体，在切应力 的作用下发生局部滑移，发生局部滑移后晶体内在垂直方向出现了一个多余的半原子面，显然在晶格内产生了缺陷，这就是位错，这种位错在晶体中有一个刀刃状的多余半原子面，所以称为刃型位错。位错线的上部邻近范围受到压应力，而下部邻近范围受到拉应力，离位错线较远处原子排列正常。通常称晶体上半部多出原子面的位错为正刃型位错，用符号“┴”表示，反之为负刃型位错，用“┬”表示。当然这种规定都是相对的。
螺型位错
又称螺旋位错。一个晶体的某一部分相对于其余部分发生滑移，原子平面沿着一根轴线盘旋上升，每绕轴线一周，原子面上升一个晶面间距。在中央轴线处即为一螺型位错。围绕位错线原子的位移矢量称为滑移矢量或伯格斯(Burgers)矢量，对于螺型位错，位错线平行于伯格斯矢量。
区别
1）刃型位错具有一个额外的半原子面，而螺型位错无；
（2）刃型位错必须与滑移方向垂直，也垂直与滑移矢量；而螺型位错线与滑移矢量平行，且位错线的移动方向与晶体滑移方向互相垂直。
（3）刃型位错的滑移线不一定是直线，可以是折线或曲线；而螺位错的滑移线一定是直线。
（4）刃位错的滑移面只有一个，其不能在其他面上进行滑移；而螺位错的滑移面不是唯一的。
（5）刃位错周围的点阵发生弹性畸变，既有切应变，又有正应变；而螺位错只有切应变而无正应变 | | weicuo
位错
dislocations
（见晶体缺陷）。
| | weicuo
位错
dislocation
晶体内部的一种具有特征结构的线缺陷。晶体的范性形变就是位错运动的结果。
位错理论有两个不同的来源：一是连续介质弹性力学为处理内应力问题而引入的，在20世纪初，通过V.沃耳泰拉等人的工作而规模初具；另一来源是由于金属单晶的实际强度只有根据完整晶体估计的理论强度的千分之一，为探讨晶体在低应力下范性形变的微观机制而引入的。开始于20年代后期，通过U.德林格尔、M.波拉尼与E.奥罗万等人的工作，逐步明确了晶体内部可能存在一种在切应力作用下易于运动从而使相邻原子面相对滑动的位错组态；到1934年G.I.泰勒与1939年Ｊ.Μ.伯格斯的汇流，奠定了晶体位错理论的基础。50年代中发展了一系列直接观察位错的实验方法，确证晶体中存在位错，并以大量的第一手的实验资料，证实了位错理论的基本论点和许多细节，为进一步发展位错理论打下巩固的基础（见晶体缺陷的直接观察）。
通常的弹性力学只处理外加力作用下物体的行为。但实际上即使完全撤去外力，物体内部还可以有内应力存在。为了说明连续介质中存在内应力，必然引导到位错的概念。沃耳泰拉设想如下的操作：将介质沿一任意面S剖开，施加外力于S面的两侧，使之产生刚性的相对位移。如果相对位移的操作造成空隙，则用同样介质填补起来；如果介质重叠起来了，则将重叠部分挖去。然后将割面重新胶合起来，撤去外力。这样一来，物体内部就有内应力存在。这里的相对位移可以是平移或旋转。沃耳泰拉曾经设想了六类基本组态,如图1[沃耳泰拉位错示意图]所示。1927年A.E.H.乐甫统称之为位错。位错引起的应力场连续地穿过胶合的割面处，因而割面在弹性场中不留下任何痕迹。割面的周界就是位错线。在位错线周围的长程应力场可根据经典弹性力学方法来求解。应力的值和到位错线的距离成反比。外推到→0,应力将趋于无限大。这样,位错线构成弹性场中的奇线（图1[沃耳泰拉位错示意图]中将奇线附近全部挖空）。后来习用的位错这一名词通常只指相对位移为平移的组态，即图1 中的a[沃耳泰拉位错示意图]、b[沃耳泰拉位错示意图]c[沃耳泰拉位错示意图]。位错所对应的平移矢量被称为伯格斯矢量,它是确定位错特征的一个重要参量，位错应力场的大小与其数值成正比,而位错的能量则与成正比。若与位错线垂直(图1中的b[沃耳泰拉位错示意图]、c[沃耳泰拉位错示意图])，这样的位错称为刃型位错；若与位错线平行(图1中的d[沃耳泰拉位错示意图]) ，则称为螺型位错；若既不平行，又不垂直，则为混合位错。至于相对位移为旋转的组态（图1中的e[沃耳泰拉位错示意图]、f[沃耳泰拉位错示意图]、g[沃耳泰拉位错示意图]），后来改称为旋错，以区别于通常所述的位错。
从连续介质过渡到晶体，沃耳泰拉所设想的形成位错的操作依然可以进行。由于晶体中原子排列是周期性的，要避免在割面上引起原子错排,位错的应正好等于点阵平移矢量。这就是全位错。图2b[晶体中位错的原子组态]画出了简单立方结构晶体中刃型位错的原子组态，可看出，刃型位错对应于原子平面中断处的边沿；图2c[晶体中位错的原子组态]画出了螺型位错的原子组态。可看出，接近于和位错线垂直的原子面是螺卷面，绕位错线一圈上升一个原子间距，位错线附近的原子组态的确切情况取决于原子间交互作用能最小的条件，应采用适当的点阵模型来处理；至于其长程应力场，则可套用连续介质弹性力学的计算结果。如果晶体中存在低能量的错排面，例如密堆积结构中的堆垛层错或有序合金的反相畴界（见面缺陷），就可能出现不全位错,其矢量不等于（通常是小于）点阵平移矢量。这种位错必然和相应的低能错排面联系在一起。例如面心立方金属中全位错可以转化为两不全位错夹住一片层错的组态，这被称为扩展位错。
至于全旋错，在通常晶体中 | | - n.: dislocation
| | | 转位, 脱位, 易位 | | |
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