shè yǐng : diàn xué : cái chǎn bǎo xiǎn : wēi diàn : tōng xìn gōng chéng : jīn : jiàn zhù : chē bǎo xiǎn péi > guāng 
mùlù
No. 1
   guāng (photoetching) shì tōng guò liè shēng chǎn zhòu jiāng jīng yuán biǎo miàn báomó de dìng fēn chú de gōng 4.7)。 zài zhī hòujīng yuán biǎo miàn huì liú xià dài yòu wēi xíng jié gòu de báomóbèi chú de fēn néng xíng zhuàng shì báomó nèi de kǒng huò shì cán liú de dǎo zhuàng fēn
   guāng gōng bèi chēng wéi jiā shú zhī de photomasking,masking,photolithography, huò microlithography。 zài jīng yuán de zhì zào guò chéng zhōngjīng sān guǎnèr guǎndiàn róngdiàn jīn shǔ céng de zhǒng jiàn zài jīng yuán biǎo miàn huò biǎo céng nèi gòu chéngzhè xiē jiàn shì měi zài yǎn céng shàng shēng chéng debìng qiě jié shēng chéng báomó chú dìng fēntōng guò guāng gōng guò chéngzuì zhōng zài jīng yuán shàng bǎo liú zhēng xíng de fēn guāng shēng chǎn de biāo shì gēn diàn shè de yào qiúshēng chéng chǐ cùn jīng què de zhēng xíngbìng qiě zài jīng yuán biǎo miàn de wèi zhì zhèng què qiě jiàn( parts) de guān lián zhèng què
   guāng shì suǒ yòu běn gōng zhōng zuì guān jiàn de guāng què dìng liǎo jiàn de guān jiàn chǐ cùn guāng guò chéng zhōng de cuò zào chéng xíng wāi huò tào zhǔn hǎozuì zhōng zhuǎn huà wéi duì jiàn de diàn xìng chǎn shēng yǐng xiǎng xíng de cuò wèi huì dǎo zhì lèi de liáng jiēguǒ guāng gōng zhōng de lìng wèn shì quē xiàn guāng shì gāo bǎn běn de zhàoxiàng shùzhǐ guò shì zài nán zhì xìn de wēi xiǎo chǐ cùn xià wán chéngzài zhì chéng zhōng de rǎn huì zào chéng quē xiànshì shí shàng yóu guāng zài jīng yuán shēng chǎn guò chéng zhōng yào wán chéng 5 céng zhì 20 céng huò gèng duōsuǒ rǎn wèn jiāng huì fàng
No. 2
   guāng (photoetching) shì tōng guò liè shēng chǎn zhòu jiāng jīng yuán biǎo miàn báomó de dìng fēn chú de gōng 4.7)。 zài zhī hòujīng yuán biǎo miàn huì liú xià dài yòu wēi xíng jié gòu de báomóbèi chú de fēn néng xíng zhuàng shì báomó nèi de kǒng huò shì cán liú de dǎo zhuàng fēn
   guāng gōng bèi chēng wéi jiā shú zhī de Photomasking,masking,photolithography, huò microlithography。 zài jīng yuán de zhì zào guò chéng zhōngjīng sān guǎnèr guǎndiàn róngdiàn jīn shǔ céng de zhǒng jiàn zài jīng yuán biǎo miàn huò biǎo céng nèi gòu chéngzhè xiē jiàn shì měi zài yǎn céng shàng shēng chéng debìng qiě jié shēng chéng báomó chú dìng fēntōng guò guāng gōng guò chéngzuì zhōng zài jīng yuán shàng bǎo liú zhēng xíng de fēn guāng shēng chǎn de biāo shì gēn diàn shè de yào qiúshēng chéng chǐ cùn jīng què de zhēng xíngbìng qiě zài jīng yuán biǎo miàn de wèi zhì zhèng què qiě jiàn( parts) de guān lián zhèng què
   guāng shì suǒ yòu běn gōng zhōng zuì guān jiàn de guāng què dìng liǎo jiàn de guān jiàn chǐ cùn guāng guò chéng zhōng de cuò zào chéng xíng wāi huò tào zhǔn hǎozuì zhōng zhuǎn huà wéi duì jiàn de diàn xìng chǎn shēng yǐng xiǎng xíng de cuò wèi huì dǎo zhì lèi de liáng jiēguǒ guāng gōng zhōng de lìng wèn shì quē xiàn guāng shì gāo bǎn běn de zhàoxiàng shùzhǐ guò shì zài nán zhì xìn de wēi xiǎo chǐ cùn xià wán chéngzài zhì chéng zhōng de rǎn huì zào chéng quē xiànshì shí shàng yóu guāng zài jīng yuán shēng chǎn guò chéng zhōng yào wán chéng 5 céng zhì 20 céng huò gèng duōsuǒ rǎn wèn jiāng huì fàng
   bān de guāng gōng yào jīng guī piàn biǎo miàn qīng hōng gān xuán guāng jiāoruǎn hōngduì zhǔn bàoguānghòu hōngxiǎn yǐngyìng hōng shíjiǎn děng gōng
  1、 guī piàn qīng hōng gān( CleaningandPre-Baking)
   fāng shī qīng shuǐchōng tuō shuǐ hōng bèi bǎn 150 250C,1~ 2 fēn zhōngdàn bǎo
   mùdì: a、 chú biǎo miàn de rǎn yòu gōng cán dòng ); b、 chú shuǐ zhēng shì biǎo miàn yóu qīn shuǐ xìng biàn wéi zēng shuǐ xìngzēng qiáng biǎo miàn de nián xìngduì guāng jiāo huò zhě shì HMDS- liù jiá 'èr guī 'àn wán)。
  2、 ( Priming)
   fāng : a、 xiāng chéng de bǎn 。 HMDS zhēng diàn , 200~ 250C,30 miǎo zhōngyōu diǎn jūn yún miǎn rǎn; b、 xuánzhuàn quē diǎn rǎn jūn yún、 HMDS yòng liàng
   mùdìshǐ biǎo miàn yòu shū shuǐ xìngzēng qiáng biǎo miàn guāng jiāo de nián xìng
  3、 xuánzhuàn jiāo( Spin-onPRCoating)
   fāng : a、 jìng tài jiāo( Static)。 guī piàn jìng zhǐ shí jiāojiā xuánzhuànshuǎi jiāohuī róng yuán guāng jiāo de róng yuē zhàn 65~ 85%, xuán hòu yuē zhàn 10~ 20%); b、 dòng tài( Dynamic)。 xuánzhuàn( 500rpm_rotationperminute)、 jiāojiā xuánzhuàn( 3000rpm)、 shuǎi jiāohuī róng
   jué dìng guāng jiāo jiāo hòu de guān jiàn cān shù guāng jiāo de nián ( Viscosity), nián yuè guāng jiāo de hòu yuè xuánzhuàn yuè kuàihòu yuè
   yǐng xiǎng guāng jiāo jūn yún xìng de cān shùxuánzhuàn jiā jiā yuè kuài yuè jūn yún xuánzhuàn jiā de shí jiān diǎn yòu guān
   bān xuán guāng jiāo de hòu bàoguāng de guāng yuán cháng yòu guānyīn wéi tóng bié de bàoguāng cháng duì yìng tóng de guāng jiāo zhǒng lèi fēn biàn shuài): I-line zuì hòuyuē 0.7~ 3μm; KrF de hòu yuē 0.4~ 0.9μm; ArF de hòu yuē 0.2~ 0.5μm。
  4、 ruǎn hōng( SoftBaking)
   fāng zhēn kōng bǎn, 85~ 120C,30~ 60 miǎo
   mùdìchú róng ( 4~ 7%); zēng qiáng nián xìngshì fàng guāng jiāo nèi de yìng fáng zhǐ guāng jiāo diàn shè bèi
  5、 biān yuán guāng jiāo de chú( EBR, EdgeBeadRemoval)。
   guāng jiāo hòuzài guī piàn biān yuán de zhèng fǎn liǎng miàn huì yòu guāng jiāo de duī biān yuán de guāng jiāo bān jūn yún néng dào hěn hǎo de xíngér qiě róng shēng ( Peeling) ér yǐng xiǎng fēn de xíngsuǒ yào chú
   fāng : a、 huà xué de fāng ( ChemicalEBR)。 ruǎn hōng hòuyòng PGMEA huò EGMEA biān róng pēn chū shǎo liàng zài zhèng fǎn miàn biān yuán chūbìng xiǎo xīn kòng zhì yào dào guāng jiāo yòu xiào ; b、 guāng xué fāng ( OpticalEBR)。 guī piàn biān yuán bàoguāng( WEE, WaferEdgeExposure)。 zài wán chéng xíng de bàoguāng hòuyòng guāng bàoguāng guī piàn biān yuánrán hòu zài xiǎn yǐng huò shū róng zhōng róng jiě
  6、 duì zhǔn( Alignment)
   duì zhǔn fāng : a、 duì zhǔntōng guò guī piàn shàng de notch huò zhě flat jìn xíng guāng dòng duì zhǔn; b、 tōng guò duì zhǔn biāo zhì( AlignMark), wèi qiē cáo( ScribeLine) shànglìng wài céng jiān duì zhǔn tào jīng ( Overlay), bǎo zhèng xíng guī piàn shàng jīng cún zài de xíng zhī jiān de duì zhǔn
  7、 bàoguāng( Exposure)
   bàoguāng zhōng zuì zhòng yào de liǎng cān shù shìbàoguāng néng liàng( Energy) jiāo ( Focus)。 guǒ néng liàng jiāo tiáozhěng hǎojiù néng dào yào qiú de fēn biàn shuài xiǎo de xíngbiǎo xiàn wéi xíng de guān jiàn chǐ cùn chāo chū yào qiú de fàn wéi
   bàoguāng fāng
  a、 jiē chù shì bàoguāng( ContactPrinting)。 yǎn bǎn zhí jiē guāng jiāo céng jiē chùbàoguāng chū lái de xíng yǎn bǎn shàng de xíng fēn biàn shuài xiāng dāngshè bèi jiǎn dānquē diǎn guāng jiāo rǎn yǎn bǎnyǎn bǎn de sǔnshòu mìng hěn zhǐ néng shǐ yòng 5~ 25 ); 1970 qián shǐ yòngfēn biàn shuài〉 0.5μm。
  b、 jiē jìn shì bàoguāng( ProximityPrinting)。 yǎn bǎn guāng jiāo céng de lüè wēi fēn kāi yuē wéi 10~ 50μm。 miǎn guāng jiāo zhí jiē jiē chù 'ér yǐn de yǎn bǎn sǔn shāngdàn shì tóng shí yǐn liǎo yǎn shè xiào yìngjiàng liǎo fēn biàn shuài。 1970 hòu shì yòngdàn shì zuì fēn biàn shuài jǐn wéi 2~ 4μm。
  c、 tóu yǐng shì bàoguāng( ProjectionPrinting)。 zài yǎn bǎn guāng jiāo zhī jiān shǐ yòng tòu jìng guāng shí xiàn bàoguāng bān yǎn bǎn de chǐ cùn huì yào zhuǎn xíng de 4 bèi zhì zuòyōu diǎn gāo liǎo fēn biàn shuàiyǎn bǎn de zhì zuò gèng jiā róng yǎn bǎn shàng de quē xiàn yǐng xiǎng jiǎn xiǎo
   tóu yǐng shì bàoguāng fēn lèi
   sǎo miáo tóu yǐng bàoguāng( ScanningProjectPrinting)。 70 nián dài ~ 80 nián dài chū,〉 1μm gōng yǎn bǎn 1: 1, quán chǐ cùn
   jìn chóngfù tóu yǐng bàoguāng( Stepping-repeatingProjectPrinting huò chēng zuò Stepper)。 80 nián dài ~ 90 nián dài, 0.35μm( Iline)~ 0.25μm( DUV)。 yǎn bǎn suō xiǎo ( 4: 1), bàoguāng ( ExposureField) 22×22mm( bàoguāng suǒ néng gài de )。 zēng jiā liǎo lēng jìng tǒng de zhì zuò nán
   sǎo miáo jìn tóu yǐng bàoguāng( Scanning-SteppingProjectPrinting)。 90 nián dài zhì jīnyòng 0.18μm gōng cǎi yòng 6 yīng cùn de yǎn bǎn 'àn zhào 4: 1 de bàoguāngbàoguāng ( ExposureField) 26×33mm。 yōu diǎnzēng liǎo měi bàoguāng de shì chǎng gōng guī piàn biǎo miàn píng zhěng de cháng gāo zhěng guī piàn de chǐ cùn jūn yún xìngdàn shìtóng shí yīn wéi yào fǎn xiàng yùn dòngzēng jiā liǎo xiè tǒng de jīng yào qiú
   zài bàoguāng guò chéng zhōng yào duì tóng de cān shù néng quē xiàn jìn xíng gēn zōng kòng zhìhuì yòng dào jiǎn kòng zhì xìn piàn / kòng piàn( MonitorChip)。 gēn tóng de jiǎn kòng zhì duì xiàng fēn wéi xià zhǒng: a、 kòng piàn( ParticleMC): yòng xìn piàn shàng wēi xiǎo de jiān kòngshǐ yòng qián shù yìng xiǎo 10 ; b、 pán kòng piàn( ChuckParticleMC): shì guāng shàng díkǎ pán píng tǎn de zhuān yòng xìn piàn píng tǎn yào qiú fēi cháng gāo; c、 jiāo kòng piàn( FocusMC): zuò wéi guāng jiān kòng jiāo jiān kòng; d、 guān jiàn chǐ cùn kòng piàn( CriticalDimensionMC): yòng guāng guān jiàn chǐ cùn wěn dìng xìng de jiān kòng; e、 guāng jiāo hòu kòng piàn( PhotoResistThicknessMC): guāng jiāo hòu cèliáng; f、 guāng quē xiàn kòng piàn( PDM, PhotoDefectMonitor): guāng jiāo quē xiàn jiān kòng
   : 0.18μm de CMOS sǎo miáo jìn guāng gōng
   guāng yuán: KrF huà DUV guāng yuán( 248nm);
   shù zhí kǒng jìng NA: 0.6~ 0.7;
   jiāo shēn DOF: 0.7μm;
   fēn biàn shuài Resolution: 0.18~ 0.25μm( bān cǎi yòng liǎo piān zhóu zhào míng OAI_Off-AxisIllumination xiāng yǎn bǎn shù PSM_PhaseShiftMask zēng qiáng);
   tào jīng Overlay: 65nm;
   chǎn néng Throughput: 30~ 60wafers/hour( 200mm);
   shì chǎng chǐ cùn FieldSize: 25×32mm;
  8、 hòu hōng( PEB, PostExposureBaking)
   fāng bǎn, 110~ 130C,1 fēn zhōng
   mùdì: a、 jiǎn shǎo zhù xiào yìng; b、 huà xué zēng qiáng guāng jiāo de PAG chǎn shēng de suān guāng jiāo shàng de bǎo tuán shēng fǎn yìng bìng chú tuán shǐ zhī néng róng jiě xiǎn yǐng
  9、 xiǎn yǐng( Development)
   fāng : a、 zhěng guī piàn jìn méi shì xiǎn yǐng( BatchDevelopment)。 quē diǎnxiǎn yǐng xiāo hào hěn xiǎn yǐng de jūn yún xìng chā; b、 lián pēn xiǎn yǐng( ContinuousSprayDevelopment) / dòng xuánzhuàn xiǎn yǐng( Auto-rotationDevelopment)。 huò duō pēn zuǐ pēn xiǎn yǐng zài guī piàn biǎo miàntóng shí guī piàn xuánzhuàn( 100~ 500rpm)。 pēn zuǐ pēn shì guī piàn xuánzhuàn shì shí xiàn guī piàn jiān róng jiě shuài jūn yún xìng de chóngfù xìng de guān jiàn tiáojié cān shù。 c、 shuǐ kēngxuán jìn méishì xiǎn yǐng( PuddleDevelopment)。 pēn gòu néng tài duōzuì xiǎo huà bèi miàn shī de xiǎn yǐng dào guī piàn biǎo miànbìng xíng chéng shuǐ kēng xíng zhuàngxiǎn yǐng de liú dòng bǎo chí jiào jiǎn shǎo biān yuán xiǎn yǐng shuài de biàn huà)。 guī piàn dìng huò màn màn xuánzhuàn bān cǎi yòng duō xuán xiǎn yǐng bǎo chí 10~ 30 miǎo chú 'èr bǎo chí chúrán hòu yòng shuǐchōng chú guī piàn liǎng miàn de suǒ yòu huà xué pǐnbìng xuánzhuàn shuǎi gānyōu diǎnxiǎn yǐng yòng liàng shǎoguī piàn xiǎn yǐng jūn yúnzuì xiǎo huà liǎo wēn
   xiǎn yǐng : a、 zhèng xìng guāng jiāo de xiǎn yǐng zhèng jiāo de xiǎn yǐng wèi jiǎn xìng shuǐ róng 。 KOH NaOH yīn wéi huì dài lái dòng rǎn( MIC, MovableIonContamination), suǒ zài IC zhì zào zhōng bān yòngzuì tōng de zhèng jiāo xiǎn yǐng shì jiá qīng yǎng huà 'ǎn( TMAH)( biāo zhǔn dāng liàng nóng wéi 0.26, wēn 15~ 25C)。 zài I xiàn guāng jiāo bàoguāng zhōng huì shēng chéng suō suān, TMAH xiǎn yǐng zhōng de jiǎn suān zhōng shǐ bàoguāng de guāng jiāo róng jiě xiǎn yǐng ér wèi bàoguāng de guāng jiāo méi yòu yǐng xiǎngzài huà xué fàng guāng jiāo( CAR, ChemicalAmplifiedResist) zhōng bāo hán de fēn quán shù zhī PHS xíng shì cún zài。 CAR zhōng de PAG chǎn shēng de suān huì chú PHS zhōng de bǎo tuán( t-BOC), cóng 'ér shǐ PHS kuài róng jiě TMAH xiǎn yǐng zhōngzhěng xiǎn yǐng guò chéng zhōng, TMAH méi yòu tóng PHS shēng fǎn yìng。 b、 xìng guāng jiāo de xiǎn yǐng èr jiá běnqīng wéi suān dīng zhī huò chúnsān
   xiǎn yǐng zhōng de cháng jiàn wèn : a、 xiǎn yǐng wán quán( IncompleteDevelopment)。 biǎo miàn hái cán liú yòu guāng jiāoxiǎn yǐng zào chéng; b、 xiǎn yǐng gòu( UnderDevelopment)。 xiǎn yǐng de chuí zhíyóu xiǎn yǐng shí jiān zào chéng; c、 guò xiǎn yǐng( OverDevelopment)。 kào jìn biǎo miàn de guāng jiāo bèi xiǎn yǐng guò róng jiěxíng chéng tái jiēxiǎn yǐng shí jiān tài cháng
  10、 yìng hōng( HardBaking)
   fāng bǎn, 100~ 130C( lüè gāo huà wēn Tg), 1~ 2 fēn zhōng
   mùdì: a、 wán quán zhēng diào guāng jiāo miàn de róng miǎn zài rǎn hòu de zhù huán jìng DNQ fēn quán shù zhī guāng jiāo zhōng de dàn huì yǐn guāng jiāo bào liè); b、 jiān gāo guāng jiāo zài zhù huò shí zhōng bǎo xià biǎo miàn de néng ; c、 jìn zēng qiáng guāng jiāo guī piàn biǎo miàn zhī jiān de nián xìng; d、 jìn jiǎn shǎo zhù xiào yìng( StandingWaveEffect)。
   cháng jiàn wèn : a、 hōng kǎo ( Underbake)。 jiǎn ruò guāng jiāo de qiáng kàng shí néng zhù zhōng de dǎng néng ); jiàng zhēn kǒng tián chōng néng ( GapfillCapabilityfortheneedlehole); jiàng de nián néng 。 b、 hōng kǎo guò ( Overbake)。 yǐn guāng jiāo de liú dòngshǐ xíng jīng jiàng fēn biàn shuài biànchà
   lìng wài hái yòng shēn wài xiàn( DUV, DeepUltra-Violet) jiān shǐ zhèng xìng guāng jiāo shù zhī shēng jiāo lián xíng chéng céng de biǎo miàn yìng zēng jiā guāng jiāo de wěn dìng xìngzài hòu miàn de děng shí zhù ( 125~ 200C) gōng zhōng jiǎn shǎo yīn guāng jiāo gāo wēn liú dòng 'ér yǐn fēn biàn shuài de jiàng
bǎi quán
  guangke
   guāng
  photoetching
     yòng zhàoxiàng zhì huà xué shí xiāng jié de shùzài gōng jiàn biǎo miàn zhì jīng wēi báocéng xíng de huà xué jiā gōng fāng guāng yuán suī rán zài 19 shì chū jiù wéi rén men suǒ zhīdàn cháng lái yóu quē yōu liáng de guāng zhì kàng shí 'ér wèi dào yìng yòngzhí dào 20 shì 50 nián dàiměi guó zhì chéng gāo fēn biàn shuài yōu kàng shí xìng néng de guāng zhì kàng shí (KPR) zhī hòu , guāng shù cái xùn zhǎn láibìng kāi shǐ yòng zài bàn dǎo gōng fāng miàn guāng shì zhì zào gāo bàn dǎo jiàn guī chéng diàn de guān jiàn gōng zhī bìng yòng huá guāng shānxiàn wén chǐ pán děng de jīng xiàn wén
     guāng de běn yuán shì yòng guāng zhì kàng shí ( huò chēng guāng jiāo ) gǎn guāng hòu yīn guāng huà xué fǎn yìng 'ér xíng chéng nài shí xìng de diǎnjiāng yǎn bǎn shàng de xíng zhì dào bèi jiā gōng biǎo miàn shàng guāng bàn dǎo jīng piàn 'èr yǎng huà guī de zhù yào zhòujiàn guāng shì shì guāng zhì kàng shí tào zhǔn yǎn bǎn bìng bàoguāng yòng xiǎn yǐng róng jiě wèi gǎn guāng de guāng zhì kàng shí céng yòng shí róng jiě diào guāng zhì kàng shí bǎo de 'èr yǎng huà guī céng chú gǎn guāng de guāng zhì kàng shí céng
     guāng zhì kàng shí shì zhǒng duì guāng mǐn gǎn de gāo fēn róng zhǒng lèi hěn duōgēn guāng huà xué fǎn yìng de diǎn bān fēn wéi zhèng xìng xìng liǎng lèifán yòng xiǎn yǐng néng gǎn guāng de fēn róng jiě chú de chēng wéi zhèng xìng guāng zhì kàng shí yòng xiǎn yǐng néng wèi gǎn guāng de fēn róng jiě chú de chēng wéi xìng guāng zhì kàng shí
     guāng de jīng hěn gāo wēi shù liàng wéi shǐ shí xiàn tiáo qīng biān yuán dǒu zhífēn biàn shuài xiǎo 1 wēi de chāo wēi xíng , cǎi yòng yuǎn wài bàoguāng、 X shè xiàn bàoguāngdiàn shù sǎo miáo bàoguāng , děng gān shí děng xīn shù
     cān kǎo shū
     jiā zhí biān:《 bàn dǎo huà xué yuán 》, xué chū bǎn shèběi jīng, 1980。
    ( yǐn jiā xiáng
    
yīngwénjièshì
  1. :  photoetching
  2. n.:  photoengraving
xiàngguāncí
chéng diàn bàn dǎo bàn dǎo shè bèi