高壓電子顯微鏡(high-voltage electron microscopy，hvem)
同透射電子顯微鏡基本相同，衹是電壓特別高。tem使用的加速電壓是50～100kv，而hvem使用的電壓是200～1000kv。由於電壓高，就會大大減少造成染色體畸變的可能，因此，可以用較厚的細胞切片研究細胞的結構，切片的厚度最大可達1μm，相當於普通tem樣品厚度的10倍。
高壓電子顯微鏡
(high-voltage electron microscopy，HVEM)
同透射電子顯微鏡基本相同，衹是電壓特別高。TEM使用的加速電壓是50～100kV，而HVEM使用的電壓是200～1000kV。由於電壓高，就會大大減少造成染色體畸變的可能，因此，可以用較厚的細胞切片研究細胞的結構，切片的厚度最大可達1μm，相當於普通TEM樣品厚度的10倍。