集成電路之一。采用薄膜工藝在玻璃或陶瓷基片上製作電路元、器件及其接綫，並加以封裝而成。薄膜工藝包括蒸發、濺射、化學氣相澱積等。特點為電阻、電容數值控製較精確，且數值範圍寬，但集成度不高。主要用於綫性電路。
薄膜集成電路是將整個電路的晶體管、二極管、電阻、電容和電感等元件以及它們之間的互連引綫，全部用厚度在１微米以下的金屬、半導體、金屬氧化物、多種金屬混合相、合金或絶緣介質薄膜，並通過真空蒸發、濺射和電鍍等工藝製成的集成電路。薄膜集成電路中的有源器件，即晶體管，有兩種材料結構形式：一種是薄膜場效應硫化鎘或硒化鎘晶體管，另一種是薄膜熱電子放大器。更多的實用化的薄膜集成電路采用混合工藝，即用薄膜技術在玻璃、微晶玻璃、鍍釉和拋光氧化鋁陶瓷基片上製備無源元件和電路元件間的連綫，再將集成電路、晶體管、二極管等有源器件的芯片和不使用薄膜工藝製作的功率電阻、大容量的電容器、電感等元件用熱壓焊接、超聲焊接、梁式引綫或凸點倒裝焊接等方式，就可以組裝成一塊完整的集成電路。 |