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表示物质导电性能的物理量。用符号ρ表示。在国际单位制中,电阻率在数值上等于长为1米、横截面积为1平方米的一段导体所具有的电阻,即ρ=rsl。电阻率越小,表示导电性能越好,反之亦然。金属的电阻率随温度升高而增大。单位为欧·米。 |
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电阻率(率lǜ) : 表示物质导电性能的物理量。用符号ρ表示。在国际单位制中,电阻率在数值上等于长为1米、横截面积为1平方米的一段导体所具有的电阻,即ρ=rsl。电阻率越小,表示导电性能越好,反之亦然。金属的电阻率随温度升高而增大。单位为欧·米。 |
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电阻率(resistivity)是用来表示各种物质电阻特性的物理量。某种材料制成的长1米、横截面积是1平方毫米的在常温下(20℃时)导线的电阻,叫做这种材料的电阻率。 |
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国际单位制中,电阻率的单位是欧姆·米(Ω·m或ohmm),常用单位是欧姆·毫米和欧姆·米。 |
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电阻率的计算公式为:ρ=RS/L。
ρ为电阻率——常用单位Ω·m
S为横截面积——常用单位㎡
R为电阻值——常用单位Ω
L为导线的长度——常用单位m |
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几种金属导体在20℃时的电阻率
材料电阻率(Ω m)
(1)银 1.65 × 10-8
(2)铜 1.75 × 10-8
(3)铝 2.83 × 10-8
(4)钨 5.48 × 10-8
(5)铁 9.78 × 10-8
(6)铂 2.22 × 10-7
(7)锰铜 4.4 × 10-7
(8)汞 9.6 × 10-7
(9)康铜 5.0 × 10-7
(10)镍铬合金 1.0 × 10-6
(11)铁铬铝合金1.4 × 10-6
(12) 铝镍铁合金1.6 × 10-6
(13)石墨(8~13)×10-6
可以看出金属的电阻率较小,合金的电阻率较大,非金属和一些金属氧化物更大,而绝缘体的电阻率极大。锗、硅、硒、氧化铜、硼等的电阻率比绝缘体小而比金属大,我们把这类材料叫做半导体(semiconductors)。
总结:常态下(由表可知)导电性能最好的依次是银、铜、铝,这三种材料是最常用的,常被用来作为导线等,其中铜用的最为广,几乎现在的导线都是铜的(精密仪器,特殊场合除外)铝线由于化学性质不稳定容易氧化已被淘汰。银导电性能最好但由于成本高很少被采用,只有在高要求场合才被使用,如精密仪器、高频震荡器、航天等。顺便说下金,在某些场合仪器上触点也有用金的,那是因为金的化学性质稳定故采用,并不是因为其电阻率小所至。
另外一些金属的电阻率
金属 温度(0℃) ρ αo , 100
锌 20 ×10-3 ×10-3
5.9 4.2
铝(软) 20 2.75 4.2
铝(软) –78 1.64
阿露美尔合金 20 33 1.2
锑 0 38.7 5.4
铱 20 6.5 3.9
铟 0 8.2 5.1
殷钢 0 75 2
锇 20 9.5 4.2
镉 20 7.4 4.2
钾 20 6.9 5.1①
钙 20 4.6 3.3
金 20 2.4 4.0
银 20 1.62 4.1
铬(软) 20 17
镍铬合金(克露美尔) — 70—110 .11—.54
钴a 0 6.37 6.58
康铜 — 50 –.04–1.01
锆 30 49 4.0
黄铜 – 5—7 1.4–2
水银 0 94.08 0.99
水银 20 95.8
锡 20 11.4 4.5
锶 0 30.3 3.5
青铜 – 13—18 0.5
铯 20 21 4.8
铋 20 120 4.5
铊 20 19 5
钨 20 5.5 5.3
钨 1000 35
钨 3000 123
钨 –78 3.2
钽 20 15 3.5
金 属 温度(0℃) ρ αo , 100
杜拉铝(软) — 3.4
铁(纯) 20 9.8 6.6
铁(纯) –78 4.9
铁(钢) — 10—20 1.5—5
铁(铸) — 57—114
铜(软) 20 1.72 4.3
铜(软) 100 2.28
铜(软) –78 1.03
铜(软) –183 0.30
钍 20 18 2.4
钠 20 4.6 5.5①
铅 20 21 4.2
镍铬合金(不含铁) 20 109 .10
镍铬合金(含铁) 20 95—104 .3—.5
镍铬林合金 — 27—45 .2—.34
镍(软) 20 7.24 6.7
镍(软) –78 3.9
铂 20 10.6 3.9
铂 1000 43
铂 –78 6.7
铂铑合金② 20 22 1.4
钯 20 10.8 3.7
砷 20 35 3.9
镍铜锌电阻线 — 34—41 .25—.32
铍(软) 20 6.4
镁 20 4.5 4.0
锰铜 20 42—48 –03—+.02
钼 20 5.6 4.4
洋银 — 17—41 .4—.38
锂 20 9.4 4.6
磷青铜 — 2—6
铷 20 12.5 5.5
铑 20 5.1 4.4
①0℃和融点间的平均温度系数 ②铂90%,铑10% *若电阻率单位用欧姆厘米(Ωcm )表示,表中数值应扩大100倍。 |
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电阻率
Electrical resistivity
结果还没有得到解释。例如,人们会预期到,一件受
张力伸长的样品将按照尺寸的改变以及关系式p-
RA/l改变其电阻率,但实际上改变却落在预期值的
1/2与10倍之间,视材料的种类而定。电阻率的弹
性形变系数可正可负,也可大可小.尽管还不了解这
一现象,但在电阻应变计的设计和对超高压(即高达
几千个大气压的压强)的量度中却已有了实际应用.
[阿普尔盖特(C.E.Applegate)撰〕
电阻率(eleetrieal resistivity)
材料均匀的单位体积的立方体对在其对面间流
动的均匀密度直流电的电阻,称为电阻率。在英文
中,电阻率也叫“speeific resisranee,,.。电阻率是成
块材料(而不是薄膜)的内察性质。通常是测量已知
长度和已知均匀截面的样品的电阻值,从而按照下
式计算出电阻率:
P“RA/l,
(1)
这里p是电阻率,R是测定的电阻值,A是横截面
积,而l是长度。在米·千克·秒制中,电阻率的单
位是欧·米。因此,在式(l)中,电阻是以欧为单
位表示的,而该样品的尺寸是以米为单位表示的。
纯金属的室温电阻率,约略由最优导体银的电
阻率1.SXIO一,欧·米,至最劣的导体锰的电阻率
135X10一8欧·米。大多数金属合金的电阻率也在同
一范围内。绝缘体具有大约105一1016欧·米的电阻
率。半导体材料(例如硅和锗)的电阻率不但依赖于
基础材料,还在相当大的程度上依赖于基础材料中
的杂质类型和数量,成分的小量变化就会引起电阻
率的巨大变化,尤其在十分低的杂质浓度上更是如
此。电阻率的典型值从10一‘至105欧·米不等。参阅
“电阻"(eleetrieal resistanee)、和“半导体,,(semieon-
duetors)各条。
温度效应纯金属导体的电阻率温度系数(随
温度的变化)是正值。在室温下电阻率的增大约为
。.4%/K,而且在很广的温度范围内与绝对温度几
乎成正比。对于某些金属,当温度降低至接近绝对零
度时,电阻率减小到一个十分低的剩余值P0。其他
金属的电阻率会在绝对零度之上的某一温度下突然
变为零,因而它们变成了超导体。例如,铅在7.26K、
铝在1.IK的温度都变成了超导体。迄今还没有建
立起一种简单理论,可以解释所有从实验上观测到
的效应。然而,第一级近似是由马西森法则给出
的:
P一P0+P(T),
(2)
这里P是金属电阻率,P0是在绝对零度下金属的电
阻率,并且依赖于材料中的杂质和晶体缺陷,而P
(T)是与材料中传导电子受晶格振动所散射现象有
关的一个依赖于温度的因数。参阅“晶格振动”(lat-
tiee vibrations)、,’马提生定则”(Matthiessen,s
rule)条。
电阻率对温度的依赖关系是电阻温度计的基
础。消除了协变的铂温度计,在 |
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- : specific resistance, electrical resistivity
- n.: resistivity
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